耐放射線型SRAM（ラドハード・ラドトレラントSRAM）
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ラドハード SRAM (rad-hard) |
・過酷な宇宙環境に最適な宇宙グレードの耐放射線SRAM ・Total Ionizing Dose (TID) > 100krads(Si) ・MIL-PRF-38535/QML CLASS Q/V ・Single Event Latchup Immunity > 77.3 MeV.cm2/mg ・SigmaQuad-Ⅱ+ 72/144/288Mb 350/250MHz カタログ 
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ラドトレラントSRAM (rad-tolerant) |
・ラドハードほどの耐放射線性能が不要な用途での宇宙用SRAM ・Total Ionizing Dose (TID) > 50krads(Si) ・SigmaQuad-Ⅱ+ 72/144/288Mb 350/250MHz ・同期バースト 36/72/144Mb 333/250MHz ・ノーバス・ターンアラウンド 36/72/144Mb 333/250MHz カタログ |
| ラドハード | ラドトレラント | |
|---|---|---|
| 容量 | 288Mb/144Mb/72Mb (SigmaQuad II+) | 288Mb/144Mb/72Mb (SigmaQuad II+) 144Mb/72Mb/36Mb (同期バースト&NBT) |
| スピード | 350 MHz/250 MHz | 350 MHz/250 MHz (SigmaQuad II+) 333MHz/250 MHz (同期バースト& NBT) |
| 構成 | X18/x36 | X18/x36 |
| パッケージ | 165 CCGA, LGA, もしくは BGA | 165 LBGA (SigmaQuad) 100 TQFP (同期バースト&NBT) |
| トータルドーズ Total Ionizing Dose (TID) |
>100krads(Si) | >50krads(Si) |
| シングル・イベント・ラッチアップ耐性 Single Event Latchup Immunity |
>77.3 MeV.cm2/mg (125°C) | >42.2 MeV.cm2/mg (100°C) |
